24,249.29

-158.67

(-0.65%)

24,376

+213

(+0.88%)

高水127

8,217.08

-101.65

(-1.22%)

4,655.74

-69.05

(-1.46%)

2,885.74億

3,987.01

-6.22

(-0.156%)

4,722.41

-26.18

(-0.551%)

14,851.98

-102.12

(-0.683%)

2,767.66

-12.38

(-0.45%)

63,445.0000

+1,934.0100

(3.144%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1600

澳元最佳客戶買入價

5.4907

歐元最佳客戶買入價

9.0564

英鎊最佳客戶買入價

10.4920

日圓最佳客戶買入價

4.8921

／

／

中國新城

89.935
-1.345
(-1.473%)

最高
92.580

最低
89.525

成交股數
28.96萬

成交金額
1.51千萬

前收市
91.280

開市
92.540

買入
89.780

賣出
90.250

市值
46.01億

貨幣
USD

交易宗數
5678

每宗成交金額
2,655

波幅
11.874%

交易所
NYSE

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/9.37

周息率/預期
0.44%/0.44%

10日股價變動
1.640%

風險率
9.885

振幅率
3.493%

啤打系數
0.036

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 11/06/2026 14:58:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)