25,605.82

-432.50

(-1.66%)

25,494

-454

(-1.75%)

低水112

8,588.80

-174.17

(-1.99%)

5,048.94

-150.34

(-2.89%)

2,410.05億

4,074.34

-0.76

(-0.019%)

4,920.57

+6.01

(+0.122%)

15,595.30

+4.17

(+0.027%)

2,911.75

+4.26

(+0.15%)

67,237.1300

+476.2900

(0.713%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1604

澳元最佳客戶買入價

5.6253

歐元最佳客戶買入價

9.1266

英鎊最佳客戶買入價

10.5613

日圓最佳客戶買入價

4.9125

／

／

GoldMining

1.140
+0.020
(+1.786%)

最高
1.140

最低
1.100

成交股數
1.71百萬

成交金額
1.33百萬

前收市
1.120

開市
1.120

盤後

1.139
-0.001
(-0.070%)

最高
1.140

最低
1.110

成交股數
2.41萬

成交金額
1.20萬

買入
1.040

賣出
1.240

市值
2.40億

貨幣
USD

交易宗數
1480

每宗成交金額
898

波幅
10.742%

交易所
NYSE-M

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/-14.09

周息率/預期
--/--

10日股價變動
4.587%

風險率
0.306

振幅率
5.348%

啤打系數
0.867

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 02/06/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)