25,628.69

-409.63

(-1.57%)

25,519

-429

(-1.65%)

低水110

8,594.26

-168.71

(-1.93%)

5,060.72

-138.56

(-2.66%)

2,591.01億

4,085.70

+10.60

(+0.260%)

4,942.56

+28.00

(+0.570%)

15,710.86

+119.73

(+0.768%)

2,927.84

+20.35

(+0.70%)

67,058.6700

+297.8300

(0.446%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1604

澳元最佳客戶買入價

5.6190

歐元最佳客戶買入價

9.1203

英鎊最佳客戶買入價

10.5519

日圓最佳客戶買入價

4.9113

／

／

互聯網科技包裝

0.191
-0.001
(-0.521%)

最高
0.197

最低
0.191

成交股數
23.19萬

成交金額
3.64萬

前收市
0.192

開市
0.192

盤後

0.189
-0.002
(-1.256%)

最高
0.194

最低
0.186

成交股數
1.83萬

成交金額
2,288.48

買入
0.173

賣出
0.370

市值
3.26百萬

貨幣
USD

交易宗數
160

每宗成交金額
227

波幅
6.806%

交易所
NYSE-M

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/--

周息率/預期
--/--

10日股價變動
-3.460%

風險率
0.028

振幅率
3.714%

啤打系數
-0.254

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 02/06/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)