25,633.21

-405.11

(-1.56%)

25,312

-179

(-0.70%)

低水321

8,596.59

-166.38

(-1.90%)

5,056.97

-142.31

(-2.74%)

3,229.21億

4,083.97

+8.87

(+0.218%)

4,938.81

+24.25

(+0.493%)

15,704.71

+113.58

(+0.728%)

2,925.08

+17.59

(+0.60%)

65,419.9900

-1,340.8500

(-2.008%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1594

澳元最佳客戶買入價

5.6070

歐元最佳客戶買入價

9.1179

英鎊最佳客戶買入價

10.5494

日圓最佳客戶買入價

4.9120

／

／

馬塞裏奇房產

22.300
+0.060
(+0.270%)

最高
22.450

最低
22.130

成交股數
2.13百萬

成交金額
2.26千萬

前收市
22.240

開市
22.200

盤後

22.300
0.000
(0.000%)

最高
22.300

最低
22.300

成交股數
47.71萬

成交金額
1.77百萬

買入
21.180

賣出
50.000

市值
63.04億

貨幣
USD

交易宗數
15876

每宗成交金額
1,423

波幅
3.630%

交易所
NYSE

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/-635.43

周息率/預期
3.82%/3.05%

10日股價變動
0.586%

風險率
1.799

振幅率
2.969%

啤打系數
2.002

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 03/06/2026 16:02:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)