26,146.32
+199.00
(+0.77%)
26,164
+183
(+0.70%)
高水18
8,794.29
+76.03
(+0.87%)
4,990.78
+78.99
(+1.61%)
160.51億
4,034.95
+7.74
(+0.192%)
4,701.55
+16.30
(+0.348%)
14,533.90
+35.45
(+0.245%)
2,726.76
+12.47
(+0.46%)
74,637.6900
-172.3000
(-0.230%)
安森美半導體
  • 72.430
  • +0.380
  • (+0.527%)
  • 最高
  • 72.550
  • 最低
  • 71.090
  • 成交股數
  • 6.03百萬
  • 成交金額
  • 4.33億
  • 前收市
  • 72.050
  • 開市
  • 71.635
  • 盤後
  • 72.518
  • 0.088
  • (+0.121%)
  • 最高
  • 72.600
  • 最低
  • 71.120
  • 成交股數
  • 20.92萬
  • 成交金額
  • 1.49千萬
  • 買入
  • 71.350
  • 賣出
  • 73.450
  • 市值
  • 283.39億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 59611
  • 每宗成交金額
  • 7,262
  • 波幅
  • 11.817%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 248.48/18.24
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 16.466%
  • 風險率
  • 8.094
  • 振幅率
  • 2.407%
  • 啤打系數
  • 1.637

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 15/04/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

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