25,626.41

-411.91

(-1.58%)

25,521

-427

(-1.65%)

低水105

8,594.52

-168.45

(-1.92%)

5,060.74

-138.54

(-2.66%)

2,594.79億

4,086.33

+11.23

(+0.276%)

4,942.73

+28.17

(+0.573%)

15,712.46

+121.33

(+0.778%)

2,928.48

+20.99

(+0.72%)

67,058.6700

+297.8300

(0.446%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1604

澳元最佳客戶買入價

5.6190

歐元最佳客戶買入價

9.1203

英鎊最佳客戶買入價

10.5519

日圓最佳客戶買入價

4.9113

／

／

One Stop Systems

19.950
+0.990
(+5.222%)

最高
20.880

最低
18.900

成交股數
1.32百萬

成交金額
2.26千萬

前收市
18.960

開市
18.900

盤後

19.750
-0.200
(-1.003%)

最高
20.060

最低
19.500

成交股數
4.68萬

成交金額
79.98萬

買入
19.010

賣出
22.000

市值
4.70億

貨幣
USD

交易宗數
13661

每宗成交金額
1,651

波幅
11.749%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/210.67

周息率/預期
--/--

10日股價變動
11.890%

風險率
3.282

振幅率
12.241%

啤打系數
2.407

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 02/06/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)