25,633.21

-405.11

(-1.56%)

25,507

+16

(+0.06%)

低水126

8,596.59

-166.38

(-1.90%)

5,056.97

-142.31

(-2.74%)

3,229.21億

4,083.97

+8.87

(+0.218%)

4,938.81

+24.25

(+0.493%)

15,704.71

+113.58

(+0.728%)

2,925.08

+17.59

(+0.60%)

67,106.0000

+345.1600

(0.517%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1594

澳元最佳客戶買入價

5.6249

歐元最佳客戶買入價

9.1179

英鎊最佳客戶買入價

10.5582

日圓最佳客戶買入價

4.9145

／

／

Performance Shipping

1.710
+0.015
(+0.885%)

最高
1.730

最低
1.660

成交股數
5.88萬

成交金額
9.22萬

前收市
1.695

開市
1.730

盤前

1.720
0.010
(+0.585%)

最高
1.755

最低
1.710

成交股數
2,836.00

成交金額
3,675.06

買入
1.660

賣出
1.740

市值
2.11千萬

貨幣
USD

交易宗數
132

每宗成交金額
699

波幅
8.736%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
2.17/2.87

周息率/預期
5.90%/--

10日股價變動
3.636%

風險率
0.194

振幅率
3.509%

啤打系數
-0.016

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 03/06/2026 07:38:15
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)