25,604.61

-433.71

(-1.67%)

25,490

-458

(-1.77%)

低水115

8,588.88

-174.09

(-1.99%)

5,048.45

-150.83

(-2.90%)

2,409.16億

4,073.98

-1.12

(-0.027%)

4,920.56

+6.00

(+0.122%)

15,596.29

+5.16

(+0.033%)

2,911.75

+4.26

(+0.15%)

67,237.1300

+476.2900

(0.713%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1604

澳元最佳客戶買入價

5.6253

歐元最佳客戶買入價

9.1266

英鎊最佳客戶買入價

10.5613

日圓最佳客戶買入價

4.9125

／

／

Personalis

11.140
-0.120
(-1.066%)

最高
11.255

最低
10.680

成交股數
2.42百萬

成交金額
1.99千萬

前收市
11.260

開市
11.020

盤後

11.128
-0.012
(-0.111%)

最高
11.260

最低
10.810

成交股數
11.61萬

成交金額
37.80萬

買入
9.030

賣出
11.440

市值
11.79億

貨幣
USD

交易宗數
21222

每宗成交金額
936

波幅
15.527%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/-26.81

周息率/預期
--/--

10日股價變動
31.523%

風險率
1.688

振幅率
10.791%

啤打系數
3.028

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 02/06/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)