25,633.21
-405.11
(-1.56%)
25,312
-179
(-0.70%)
低水321
8,596.59
-166.38
(-1.90%)
5,056.97
-142.31
(-2.74%)
3,229.21億
4,083.97
+8.87
(+0.218%)
4,938.81
+24.25
(+0.493%)
15,704.71
+113.58
(+0.728%)
2,925.08
+17.59
(+0.60%)
65,184.0000
-1,576.8400
(-2.362%)
Serina Therapeutics
  • 1.790
  • +0.030
  • (+1.705%)
  • 最高
  • 1.790
  • 最低
  • 1.700
  • 成交股數
  • 2.43萬
  • 成交金額
  • 2.33萬
  • 前收市
  • 1.760
  • 開市
  • 1.760
  • 盤後
  • 1.712
  • -0.078
  • (-4.335%)
  • 最高
  • 1.790
  • 最低
  • 1.712
  • 成交股數
  • 302.00
  • 成交金額
  • 523.35
  • 買入
  • 1.690
  • 賣出
  • 2.000
  • 市值
  • 2.64千萬
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 169
  • 每宗成交金額
  • 138
  • 波幅
  • 19.741%
  • 交易所
  • NYSE-M
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/-0.98
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • -9.596%
  • 風險率
  • 1.598
  • 振幅率
  • 1.690%
  • 啤打系數
  • 1.435

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 03/06/2026 18:09:00
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

  《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布,推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰,該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件,能大幅降低產品運作時的發熱量。

 

  有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式,SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件,直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道,成功使系統熱阻大幅下降超過30%,確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)

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