25,051.45

-201.95

(-0.80%)

24,959

-132

(-0.53%)

低水92

8,462.63

-39.28

(-0.46%)

4,923.04

-52.32

(-1.05%)

1,262.85億

4,070.57

+12.79

(+0.315%)

4,905.78

+1.03

(+0.021%)

15,663.18

+1.61

(+0.010%)

2,880.22

-7.44

(-0.26%)

62,416.9100

-1,469.0800

(-2.300%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1578

澳元最佳客戶買入價

5.5910

歐元最佳客戶買入價

9.1168

英鎊最佳客戶買入價

10.5362

日圓最佳客戶買入價

4.9091

／

／

SUNation Energy Inc

1.220
0.000
(0.000%)

最高
1.284

最低
1.140

成交股數
7.23萬

成交金額
7.41萬

前收市
1.220

開市
1.230

盤後

1.200
-0.020
(-1.639%)

最高
1.220

最低
1.179

成交股數
209.00

成交金額
247.79

買入
1.180

賣出
1.460

市值
5.03百萬

貨幣
USD

交易宗數
1073

每宗成交金額
69

波幅
13.323%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
0.01/8.84

周息率/預期
171.15%/--

10日股價變動
-0.813%

風險率
0.304

振幅率
5.964%

啤打系數
-0.237

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 04/06/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)