25,962.58
+210.18
(+0.82%)
25,984
+265
(+1.03%)
高水21
8,686.31
+74.48
(+0.86%)
4,895.62
+73.95
(+1.53%)
873.70億
4,002.29
+36.12
(+0.911%)
4,629.38
+63.16
(+1.383%)
14,276.26
+279.99
(+2.000%)
2,647.83
+37.30
(+1.43%)
72,174.2300
+386.2500
(0.538%)
台積電
  • 365.490
  • -0.410
  • (-0.112%)
  • 最高
  • 368.170
  • 最低
  • 360.720
  • 成交股數
  • 9.25百萬
  • 成交金額
  • 18.26億
  • 前收市
  • 365.900
  • 開市
  • 363.300
  • 盤後
  • 366.400
  • 0.910
  • (+0.249%)
  • 最高
  • 367.180
  • 最低
  • 345.265
  • 成交股數
  • 93.65萬
  • 成交金額
  • 1.28億
  • 買入
  • 366.400
  • 賣出
  • 371.000
  • 市值
  • 18,977.42億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 126190
  • 每宗成交金額
  • 14,473
  • 波幅
  • 10.591%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 34.89/21.25
  • 周息率/預期
  • 0.91%/1.02%
  • 10日股價變動
  • 11.860%
  • 風險率
  • 59.807
  • 振幅率
  • 4.108%
  • 啤打系數
  • 1.346

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 09/04/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

  《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程,來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

 

  在上一代HBM4的競爭中,SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程,對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權,SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級,將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)

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