25,721.27
+60.42
(+0.24%)
25,737
+72
(+0.28%)
高水16
8,610.74
+8.68
(+0.10%)
4,815.28
-6.73
(-0.14%)
1,348.09億
4,004.10
+15.54
(+0.390%)
4,669.49
+23.34
(+0.502%)
14,523.04
+115.18
(+0.799%)
2,686.47
+18.98
(+0.71%)
74,348.5900
-69.4100
(-0.093%)
台積電
  • 369.570
  • -1.030
  • (-0.278%)
  • 最高
  • 371.460
  • 最低
  • 366.050
  • 成交股數
  • 9.60百萬
  • 成交金額
  • 17.76億
  • 前收市
  • 370.600
  • 開市
  • 370.260
  • 盤後
  • 371.550
  • 1.980
  • (+0.536%)
  • 最高
  • 395.300
  • 最低
  • 345.826
  • 成交股數
  • 1.01百萬
  • 成交金額
  • 9.65千萬
  • 買入
  • 320.000
  • 賣出
  • 380.000
  • 市值
  • 19,221.19億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 137718
  • 每宗成交金額
  • 12,898
  • 波幅
  • 9.372%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 35.48/21.61
  • 周息率/預期
  • 0.90%/0.95%
  • 10日股價變動
  • 9.005%
  • 風險率
  • 59.449
  • 振幅率
  • 2.207%
  • 啤打系數
  • 1.346

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 13/04/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

  《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程,來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

 

  在上一代HBM4的競爭中,SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程,對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權,SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級,將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)

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