23,616.32

+266.29

(+1.14%)

23,571

+26

(+0.11%)

低水45

7,812.35

+112.59

(+1.46%)

4,541.23

+42.23

(+0.94%)

3,147.17億

4,041.24

-2.40

(-0.059%)

4,842.00

-0.17

(-0.004%)

15,416.80

-180.71

(-1.159%)

2,789.34

+9.73

(+0.35%)

63,813.9900

+163.9800

(0.258%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1564

澳元最佳客戶買入價

5.4466

歐元最佳客戶買入價

8.9736

英鎊最佳客戶買入價

10.4755

日圓最佳客戶買入價

4.8437

／

／

應用材料

599.900
-3.140
(-0.521%)

最高
629.000

最低
591.680

成交股數
5.84百萬

成交金額
25.18億

前收市
603.040

開市
628.800

買入
599.670

賣出
600.000

市值
4,787.89億

貨幣
USD

交易宗數
143631

每宗成交金額
17,534

波幅
25.945%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
56.73/37.71

周息率/預期
0.32%/0.33%

10日股價變動
-11.013%

風險率
119.561

振幅率
12.123%

啤打系數
1.267

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 06/07/2026 15:42:30
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

16/06/2026 23:19

美股動向 | 應用材料推兩款全新沉積與蝕刻設備

　　《經濟通通訊社16日專訊》為解決高深寬比三維結構中精密加工的核心難題，全球半導體材料工程巨企應用材料(US.AMAT)發布兩款針對先進半導體製造的全新系統。這兩套設備分別聚焦介電薄膜沉積與金屬選擇性去除兩大關鍵製程環節，進一步推動摩爾定律的物理極限延伸。

　　此次推出的「Centris Spectral SiN ALD」氮化矽原子層沉積系統，主要針對先進邏輯製程中的介電材料工程需求。該設備憑藉創新的高密度微波電漿技術，徹底打破傳統製程中電漿密度與離子損傷相互制衡的局限，能夠在複雜且高深窄的3D結構內部生成致密且均勻的氮化矽薄膜。在實際應用場景中，該系統能在保持低溫製程的同時有效保護原有元件結構，為當前主流的GAA電晶體制備高品質接觸層基底，從而降低關鍵界面的電阻與電容並加快開關速度，大幅提升邏輯晶片的整體運算效能。(kk)