美股動向｜長鑫存儲量產HBM3E，美光業務受壓

　　《經濟通通訊社11日專訊》中國記憶體製造商長鑫存儲(CXMT)近日開始小量生產HBM3E高帶寬記憶體，此項關鍵技術主要應用於AI處理器數據傳輸。據The Information報道，該公司計劃2027年擴大產能，目前阿里巴巴(US.BABA)旗下平頭哥及寒武紀等中國晶片設計商已展開產品測試。

　　HBM3E屬堆疊式DRAM技術，此前全球僅SK海力士(US.SKHY)、三星及美光(US.MU)具備量產能力。長鑫存儲成功切入此領域，標誌中國正逐步逼近記憶體市場高端領域。

　　此次技術突破直接衝擊HBM主要供應商，尤以美光及SK海力士壓力最大。與早前中國NAND閃存競爭主要影響SanDisk(US.SNDK)不同，HBM作為美光最賺錢業務板塊，其市場主導地位首現實質挑戰。

　　業界分析指長鑫存儲技術仍落後領先者數年，且良率偏低，加上製程設備受制裁限制，短期難撼市場格局。美光HBM訂單更已排至2027年，合約鎖定價格及需求，故消息曝光後美光股價未見明顯波動。

　　市場憂慮在於HBM作為美光利潤率最高業務，長遠難維持「三強壟斷」局面。值得注意是，此次技術突破逆轉中美記憶體競爭態勢——SanDisk因專注NAND閃存早前受衝擊較深，而美光憑業務多元化緩解壓力；如今戰線轉移至DRAM領域，攻守形勢互換。

　　美光過去12個月累漲673%，反映記憶體短缺紅利，惟近三個月股價停滯。分析師預測其2026年盈利將飆升785%，但2029年恐轉負增長。目前該股前瞻市盈率僅13.19倍，市銷率卻較5年均值高105%，估值指標呈現矛盾信號。

　　美光將於下周公布業績，市場除關注當季表現外，更重視管理層對2027-2028年HBM產能預訂狀況及中國競爭影響評估。分析師警告若數據中心需求放緩跡象顯現，恐觸發股價大幅回調。