25,515.74
+302.43
(+1.20%)
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高水50
8,481.28
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4,533.82
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33.44億
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2,697.67
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80,790.9200
-479.4500
(-0.590%)
Patterson-UTI Energy
  • 12.550
  • -0.600
  • (-4.563%)
  • 最高
  • 13.240
  • 最低
  • 12.475
  • 成交股數
  • 5.94百萬
  • 成交金額
  • 6.56千萬
  • 前收市
  • 13.150
  • 開市
  • 13.100
  • 盤後
  • 12.660
  • 0.110
  • (+0.876%)
  • 最高
  • 12.685
  • 最低
  • 12.480
  • 成交股數
  • 8.11萬
  • 成交金額
  • 1.08百萬
  • 買入
  • 12.230
  • 賣出
  • 12.890
  • 市值
  • 50.15億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 26687
  • 每宗成交金額
  • 2,458
  • 波幅
  • 7.814%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/42.42
  • 周息率/預期
  • 3.50%/3.12%
  • 10日股價變動
  • 1.702%
  • 風險率
  • 2.420
  • 振幅率
  • 5.364%
  • 啤打系數
  • 0.032

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 03/09/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

20/08/2026 23:44

大行報告 | 里昂:記憶體股回調屬買入機會,看好三星、SK海力士及美光

  《經濟通通訊社20日專訊》里昂發表行業報告指,記憶體板塊近期受債息上升、地緣政治及AI股估值調整等宏觀因素拖累,但基本面未見根本轉弱,認為近期股價回調反而提供買入機會,首選三星電子、SK海力士(US.SKHY)及美光(US.MU)

 

  里昂預計,AI資本開支持續增加,將帶動HBM及數據中心記憶體需求。全球DRAM晶圓產能料由2025年底每月195萬片,增至2028年290萬片及2030年390萬片,但新產能投產及良率提升需時,未來數年供應增幅仍可能落後需求。與此同時,HBM所需晶圓產能為傳統DRAM約3至4倍,令DRAM市場至2028年仍有望維持供不應求,惟記憶體平均售價升幅料逐步放緩。

 

  NAND方面,企業級SSD需求強勁,AI推理及AI代理應用亦有望推動儲存需求;供應商則傾向將產能投向利潤較高的DRAM及HBM,令NAND價格具韌性。

 

  里昂預計,全球記憶體業收入2027年增長42%至1.3萬億美元,2028年再升14%至1.5萬億美元,高於2026年的9270億美元。最新市場走勢亦顯示,雖然記憶體股短線受壓,但分析普遍認為AI需求及供應緊張格局尚未逆轉。(kk)

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