．華為及其晶片製造夥伴申請一項先進半導體製造方法專利，雖技術含量較低，但能有效製造先進晶片

．該公司在去年底獲得一項關於SAQP的專利，來達到5納米製程晶片的某些技術門檻

．此項技術可避免使用EUV設備，同時降低製造成本

　　外電報道指，華為及其晶片製造夥伴申請一項先進半導體製造方法專利，雖技術含量較低，但能有效製造先進晶片，提高華為突破美國圍堵的可能性。

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　　根據華為與新凱來兩家公司向中國知識產權局提交的專利文件，它們正在開發自對準四重成像技術(SAQP,self-aligned quadruple patterning)，有助減少對高端光刻機的依賴，可能在沒有荷蘭ASML最先進極紫外線(EUV)光刻機的情況下，生產先進晶片。

*可避免使用EUV設備，製造5納米晶片*

　　國內晶片製造設備開發商新凱來技術有限公司屬華為的合作夥伴，該公司在去年底獲得一項關於SAQP的專利，通過採用深紫外光刻(DUV)、晶片製造設備和SAQP技術，來達到5納米製程晶片的某些技術門檻。此項技術可避免使用EUV設備，同時降低製造成本。

　　研究機構TechInsights認為，SAQP足以讓中國製造5納米晶片，但不能完全克服沒有EUV的技術問題，且單顆晶片的成本可能會高於行業標準。

　　報道又指，台積電等使用EUV機生產先進半導體，可以令產出較高，做到單顆晶片的成本最小化。如果華為及合作夥伴使用上述替代方法生產半導體，單顆晶片的成本可能會高於行業標準。目前投入商業生產的最先進晶片採用3納米製程，中國只能夠生產7納米晶片，落後全球領先者兩代，若生產工藝推進到5納米，相當於僅落後一代。

撰文:經濟通中國組

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